Проведено исследование радиационной деградации светоизлучающих диодов с переизлучением фотонов на основе GaAlAs под действием g-излучения Co60. Особенности механизма генерации фотонов в исследованных светодиодах приводят к особеностям радиационной деградации данных структур. Облучение относительно небольшими дозами g-излучения Co60 позволяет контролируемо вводить безызлучательные центры рекомбинации в активную область светодиодов и в другие слои, участвующие в процессах генерации и вывода фотонов. Исследование характеристик в таких светодиодах при радиационной деградации необходимо для прогнозирования изменений их параметров при неконтролируемых вариациях концентрации указанных центров в процессе изготовления данных структур. Изучены зависимости интенсивности коротковолновой и длинноволновой полос оптических спектров излучения от интегрального потока g-квантов. Обнаружено, что интенсивность коротковолновой полосы оптических спектров таких диодов от потока g-квантов соответствует уменьшению безызлучательного времени жизни электронов. Показано, что скорость уменьшения длиноволновой полосы под действием g-облучения существенно выше, чем коротковолновой. Получено, что изменением оптических потерь под действием радиации в светодиодах с переизлучением фотонов можно пренебречь. Использование таких диодов позволяет разделить деградационные процессы.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"