При розробці сучасних напівпровідникових пристроїв використовують багатокомпонентні напівпровідники, серед яких є потрійна сполука матеріалів групи A<^>III B<^>V - арсенід алюмінію-галію AlxGa1-xAs. Для AlxGa1-xAs досліджено транспортні властивості у високих електричних полях. Однією з проблем є недостатня вивченість транспортних властивостей носіїв заряду в імпульсному режимі електричного поля. Мета роботи - теоретичне дослідження дрейфових процесів в арсеніді алюмінію-галію AlxGa1-xAs (при х = 0,225) в імпульсному режимі електричного поля. Моделювання проведено на основі релаксаційних рівнянь збереження імпульсу, енергії та концентрації. Використовуючи дводолинну ГL-модель, розрахунки проведені для кожної долини окремо і усереднені з урахуванням їх заселеності. Досліджено найбільш типові механізми розсіювання електронів в арсеніді алюмінію-галію: домішкові (на нейтральних атомах і іонах домішки) і фононні (акустичні, оптичні та міждолинні). Проаналізовано температурну залежність швидкості розсіювання імпульсу та розраховано рухливість електронів. Показано, що результат моделювання рухливості добре узгоджується з експериментом. Досліджено ефект "сплеску" дрейфової швидкості носіїв заряду. Для Al0,225Ga0,775As проведено чисельний експеримент щодо впливу параметрів імпульсу електричного поля (амплітуди напруженості поля, тривалості імпульсу і величини фронту) на дрейфову швидкість електронів. Показано, що стрибкоподібна зміна напруженості електричного поля призводить до короткотривалого збільшення швидкості дрейфу порівняно зі значенням у стаціонарному режимі поля. Більший амплітуді стрибкоподібної зміни поля відповідає збільшення максимального значення дрейфової швидкості. Однак це супроводжується скороченням часу, протягом якого спостерігається ефект "сплеску". Тривалість імпульсу електричного поля не впливає на пікове значення швидкості дрейфу. Збільшення тривалості фронту імпульсу напруженості електричного поля призводить до суттєвого зменшення дрейфової швидкості. Проведено порівняння пікових значень швидкості дрейфу та довжини "балістичного руху" електронів в Al0,225Ga0,775As та арсеніді галію GaAs.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Саурова Тетяна Асадівна (технічні науки)
• Саурова Тетяна Азадівна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"