Конорева О. В. Електрофізичні характеристики вихідних та опромінених світлодіодів GaAsP / О. В. Конорева, П. Г. Литовченко, О. І. Радкевич, В. М. Попов, В. П. Тартачник, В. В. Шлапацька // Ядер. фізика та енергетика. - 2019. - 20, № 2. - С. 164-169. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.Досліджено світлодіоди, вирощені на основі твердих розчинів GaAsP. За низьких температур T <<= 130 K виявлено ділянки від'ємного диференційного опору. Опромінення електронами (E = 2 МеВ) призводить до зростання диференційного опору діодів, зміни контактної різниці потенціалів та падіння інтенсивності випромінювання. Виявлені ефекти зумовлені впливом глибоких рівнів радіаційних дефектів і поверхневих станів, активізованих високими рівнями іонізаційного збудження, властивого електронному опроміненню. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27 + В379.223
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|