Розроблено технологічні режими виготовлення фоточутливих Ge p-i-n переходів одночасною дифузією акцепторних домішок Zn та In двотемпературним способом у підкладки n-Ge з питомим опором 15 <$E roman {Ом~cdot~см}> в закритій системі при температурі дифузії ~ 700 <$E symbol Р>C. Виготовлено p-i-n переходи з глибиною залягання ~ 2 мкм. Для зменшення контактного шуму виготовлялись структури p<^>+-p- та n<^>+-n-типу. Для пасивації та захисту поверхні мезаструктурних p-i-n-переходів використовувались тонкі полікристалічні плівки ZnSe кубічної модифікації. Вибір ZnSe як пасивуючого та захисного покриття пояснюється високим питомим опором полікристалічних плівок, хорошою узгодженістю постійних граток та коефіцієнтів термічного розширення контактуючих матеріалів. Наведено технологічні режими нанесення плівок ZnSe та з'ясовано вплив вакуумно-термічної обробки Ge переходів на мінімізацію поверхневих станів гетеромежі ZnSe/Ge, а також стабільність такого пасивуючого і захисного покриття. Встановлено основні механізми транспорту носіїв заряду в інтервалі температур 227 - 316 K, який відповідає зміні кліматичних умов експлуатації далекоміра. Показано, що у дослідженому інтервалі температур при прямих та зворотних зміщеннях темновий струм переходів визначається дифузійним та генераційно-рекомбінаційним механізмом переносу заряду з переважаючим вкладом дифузійної компоненти. Визначенo основні параметри ВАХ (коефіцієнт неідеальності, темновий струм при нульовому зміщенні, послідовний опір переходу), що дозволяє прогнозувати закономірності транспорту носіїв заряду при інших температурах. З'ясовано вплив i-області на прямі ВАХ переходів. Наведено закономірності спектральної залежності ампер-ватної чутливості дифузійних Ge фотодіодів в умовах обмеження фонового випромінювання з кремнієвим оптичним фільтром, вмонтованим у корпус фотодіода, та атестовані їх основні робочі параметри.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Маслов Володимир Петрович (технічні науки)
• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Кравецький Михайло Юрійович (фізико-математичні науки)
• Венгер Євген Федорович (1947–2024) (фізико-математичні науки)
• Ворощенко Андрій Тарасович (фізико-математичні науки)
• Луцишин Ірина Григорівна (фізико-математичні науки)
• Федоренко Анатолій Васильович (економічні науки)
• Федоренко Андрій Віталійович (ветеринарні науки)
• Федоренко Андрій Вадимович (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"