Методами функціонала електронної густини та псевдопотенціалу з перших принципів розраховано просторові розподіли густини валентних електронів та їх перетини, енергетичні бар'єри міграції атомів Li в міжшаровому прошарку аноду акумулятора, виконаного з SnS2 за різної наповненості його атомами Li. Встановлено, що рух атомів Li супроводжувався доланням енергетичних бар'єрів, величина яких залежала від ступеня наповнюваності прошарку SnS2 атомами металу. Зафіксовано оптимальну наповненість прошарку SnS2 атомами Li в 75 %, за якої рух атомів Li супроводжувався найменшими енергетичними затратами.

• Балабай Руслана Михайлівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"