Досліджено вплив жорсткого ультрафіолетового випромінювання на кристалічну структуру, морфологію поверхні та оптичні характеристики напівпровідникових шарів CdS та CdTe, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі. Встановлено, що оптичні характеристики досліджених плівок CdS та CdTe є нечутливими до опромінення жорстким ультрафіолетом. Кристалічна структура шарів плівок CdS і CdTe після опромінення змінюються. Період гратки для плівок сульфіду кадмію збільшується від с = 6,77(01) до с = 6,78(88) ангстрем, що може бути пов'язано з утворенням точкових дефектів і дефектних комплексів. В результаті опромінення жорстким ультрафіолетом спостерігається зменшення ширини піків на рентгендифрактограмах шарів CdS і CdTe, що пов'язано зі збільшенням областей когерентного розсіювання в результаті часткової рекристалізації приповерхневих шарів досліджених плівок.

• Копач Галина Іванівна (фізико-математичні науки)
• Доброжан Андрій Ігорович (фізико-математичні науки)
• Хрипунов Геннадій Семенович (1963–) (фізико-математичні науки)
• Мигущенко Руслан Павлович (технічні науки)
• Кропачек Ольга Юріївна (технічні науки)
• Зайцев Роман Валентинович (1986–) (фізико-математичні науки)
• Меріуц Андрій Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"