Наведено результати дослідження транспорту заряду в надпровідникових гетероструктурах MoRe - Si(W) - MoRe з гібридним бар'єром у вигляді шару напівпровідника з кластерами металу. За низького вмісту вольфраму в бар'єрі вольтамперні характеристики гетероструктури визначаються внесками у транспорт зарядів одночасно від тунельних процесів та процесів Андріївських відбивань носіїв. У разі підвищеного вмісту вольфраму в бар'єрі в гетероструктурах виникають надпровідні струми, зумовлені Андріївськими відбиваннями носіїв на інтерфейсах та одночасно резонансно-перколяційним транспортом зарядів крізь бар'єри.

• Шатернік Володимир Євгенович (фізико-математичні науки)
• Шаповалов Андрій Петрович (фізико-математичні науки)
• Суворов Олександр Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"