Вивчено температурні режими і кінетику утворення кристалів оксиду вольфраму на поверхні вольфрамового дротика, що нагрівається електричним струмом у повітрі, а також дослідження фрактальної розмірності розгалужених оксидних утворень. Показано, що за температури більше 1100 К на поверхні провідника спостерігалася поява окремих утворень - зародків кристалів оксиду вольфраму, які з плином часу розросталися в гіллясті структури. Проведено розрахунок фрактальної розмірності одержаних структур на різних етапах росту за принципом покриття об'єкта. Визначено, що на початковому етапі зростання кристалів відбувається за механізмом броунівського руху "кластер-кластер", потім за механізмом "частинка-кластер".

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"