У компонентах на основі напівпровідників з використанням p-n-переходів, простих гетеропереходів або в інших різних напівпровідникових системах велике значення має вольтамперна характеристика (I-V), оскільки вона надає інформацію про роботу пристрою, характеристики і процеси перенесення заряду, що відбуваються в структурі пристрою. З прямої I-V характеристики можна одержати ключові електричні параметри, пов'язані з роботою пристрою, наприклад, послідовний опір (Rs), струм насичення (Is) і коефіцієнт ідеальності (n). Одержання правильних значень цих трьох параметрів, що залишається відкритою проблемою, іноді є складним завданням, особливо коли пристрій демонструє важливий вплив послідовного опору. Цей ефект часто викликає неідеальну або неекспоненційну I-V поведінку компоненти. Для одержання точних значень Rs, n і Is за умови кімнатної температури і прямої I-V характеристики, виміряної на діодах на основі подвійної межі поділу GaAlAsSb(p)/GaAlAsSb(n)/InAsSb(n), автори застосовували метод, який полягає у використанні зовнішніх резисторів, з'єднаних послідовно з пристроєм під час вимірювань. Для одержання величини Rs пристрою, а потім для знаходження точних значень n і Is було використано простий математичний підхід для обробки даних. Цей підхід вперше застосовується до модельованих I-V даних, а потім до I-V характеристик, виміряних на наших мезо-діодах. Результати, одержані як для модельованих, так і для виміряних характеристик, порівнюються з результатами, одержаними за використання інших підходів, що зустрічаються в літературі. Відповідно до значень, одержаних для електричних параметрів ашого пристрою, процес дифузії дірок від InAsSb до бар'єру GaAlAsSb, здається, відповідає за електричний потік у даній структурі. Останній результат узгоджується з результатами, опублікованими іншими авторами і пов'язаними з подібною до даної напівпровідникової системи.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"