Шмід В. Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію / В. Шмід, А. Подолян, А. Надточій, О. Коротченков, Б. Романюк, В. Мельник, В. Попов, О. Косуля // Укр. фіз. журн.. - 2019. - 64, № 5. - С. 413-422. - Бібліогр.: 39 назв. - укp.Виявлено, що тонкі шари аморфного та полікристалічного Sі (відповідно a-Sі та poly-Sі), нанесені на поверхню Ge0,25Si0,75, суттєво зменшують величину негативної фотоерс, відтворюваній у шарі Ge0,25Si0,75, нанесеному на підкладку кристалічного Si. У той самий час, при достатній глибині проникнення світла, що включає обидва нанесені шари та приповерхневу область підкладки Si, у проміжки часу, більші за <$E symbol Ы~10~-~20> мкс після закінчення світлового імпульсу, спостерігається фотоерс позитивного знака. Виявлено також, що насичення киснем шару a-Sі в гетероструктурі a-Si/Ge0,25Si0,75/c-Si призводить до суттєвого зростання величини додатної складової сигналу фотоерс (в 6 разів у експериментах). Такий ефект може бути використано для розробки ефективних сонячних елементів на основі гетероструктури a-Si/GexSі1-x/c-Si. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|