Чтобы избежать возникновения механических напряжений в системе плёнка-подложка и разрушения феррогранатовой плёнки, предложено на подложке из галлий-гадолиниевого граната Gd3Ga5O12 (ГГГ) (<$E a sub s~=~12,383~roman A back 35 up 35 symbol Р>) наращивать тонкие слои немагнитного граната Gd3-xYxGa5O12 (Y:ГГГ) (<$E 0~symbol Г~x~symbol Г~0,2>) с отрицательным градиентом параметра кристаллической решётки в направлении к плёнке железо-иттриевого граната Y3Fe5O12 (ЖИГ) (<$E a sub f~=~12,376~roman A back 35 up 35 symbol Р>), которая выращивается методом жидкофазной эпитаксии на переходном слое. Регулируя технологические условия выращивания (температуру и скорость роста, степень переохлаждения раствора-расплава), получены переходные слои Y:ГГГ толщиной от 2,2 до 6,4 мкм, у которых параметр кристаллической решётки плавно меняется от значения 12,3827 <$E roman A back 35 up 35 symbol Р> около подложки из ГГГ к 12,3762 - 12,3789 <$E roman A back 35 up 35 symbol Р> на поверхности слоя. Плёнки ЖИГ, выращенные на подложках с переходным слоем, обладали толщинами до 130 мкм и значениями ширины линии ферромагнитного резонанса <$E DELTA H> = (0,34 - 0,57) Э при толщине <$E symbol Г~73> мкм.

• Ющук Степан Іванович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"