Висока внутрішня мобільність носіїв, невелика заборонена зона для германію та можлива монолітна інтеграція з пристроями на основі Si спонукали відновити інтерес до германію у продовженні історичного прогресу пристроїв CMOS. Для одержання ефективних електронних пристроїв на основі германію необхідно зрозуміти дифузію домішки у цьому напівпровіднику. До цього часу дифузія домішок n-типу в германії моделювалася, головним чином, дифузією, пропорційною квадрату концентрації вільних електронів (n). Вивчено температурну залежність квадратичного коефіцієнта пропорційності дифузії P від концентрації вільних електронів шляхом моделювання експериментальних профілів дифузії P у діапазоні температур від 650 до <$E870~symbol Р roman C>. Точне моделювання досягається у цьому температурному діапазоні з урахуванням квадратичної пропорційності між дифузійною рухливістю атомів фосфору та концентрацією вільних електронів.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"