Методами теорії функціонала електронної густини та псевдопотенціалу з перших принципів отримано характеристики електронної підсистеми робочого шару RRAM (Resistive Random Access Memory), що побудований на основі епітаксіальних плівок Si0,9Ge0,1 із дислокаціями та впровадженими в них атомами срібла. Розраховано просторові розподіли густини валентних електронів та їх перерізи в межах комірки, розподіл густини електронних станів, електричні заряди в околі остова атома кремнію за різних атомних оточень. Досліджено, як зміни в електронній підсистемі досліджуваних об'єктів впливають на зміну їх властивостей від непровідних до провідних.

• Балабай Руслана Михайлівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"