Склярчук В. М. Вплив ступеню компенсації на детектуючі властивості кристалів Cd0,9Zn0,1Te, легованих індієм / В. М. Склярчук, З. І. Захарук, М. Г. Колісник, Г. І. Раренко, О. Ф. Склярчук, П. М. Фочук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - 20, № 3. - С. 257-263. - Бібліогр.: 27 назв. - укp.Досліджено електричні характеристики кристалів Cd0,9Zn0,1Te, легованих індієм (CZT:In) із концентрацією <$E roman C sub omicron~=~3,5~cdot~10 sup 17> см<^>-3, які застосовуються у детекторах X/<$E gamma>-випромінювання. Кристали CZT:In володіли слабко вираженим n-типом провідності та мали питомий опір <$E (1~symbol Ш~2)~cdot~10 sup 9> Ом-см за 293 К. На їх основі створено структури з омічними контактами In/CZT:In/In і структури Cr/CZT:In/In з діодом Шотткі. Проаналізовано та пояснено температурні залежності питомого опору в досліджуваному матеріалі. Визначено енергетичне положення глибокого рівня, відповідального за темнову електропровідність матеріалу. На підставі досліджень температурних залежностей струмів обмежених просторовим зарядом і струмів омічної ділянки вольтамперної характеристики, визначено ступінь компенсації кристалів CZT:In. Встановлено, що кращими детектувальними властивостями володіли структури Cr/CZT:In/In з діодом Шотткі, виготовлені на кристалах із меншим ступенем компенсації, ніж аналогічні структури, виготовлені на кристалах із більшим ступенем компенсації. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|