Досліджено механізми струмопереносу в омічних контактах Au - Ti - Pd{\dn\fs8 2}Si - \i n\i0-Si з великою густиною структурних дефектів на межі контактоутворення. Вивчено зростаючу температурну залежність питомого контактного опору з підвищенням температури вимірювання, а також омічних контактів Au - Ti - Pd{\dn\fs8 2}Si - {\i n\i0\up\fs8 +} -\i n\i0-Si. Така залежність пояснюється механізмом протікання струму через металеві шунти, суміщені з дислокаціями, який починає працювати за густини дислокацій > 10{\up\fs8 7} см{\up\fs8 -2}, або механізмом формування омічного контакту до кремнію, зумовленим наявністю на межі поділу \i {n\up\fs8 +} -n\i0-Si збагачуючого вигину зон. В процесі дослідження використано різні способи створення й обробки омічних контактів до \i n\i0-Si. Визначено технологічні фактори, які зумовлюють формування високої густини дислокацій у приконтактній області \i n\i0-Si, що приводить до виникнення металевої провідності в омічному контакті.

• Виноградов Анатолій Олегович (фізико-математичні науки)
• Виноградов Анатолій Олексійович (філологічні науки)
• Виноградов Арнольд Олександрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"