Проведено експериментальне дослідження спільного впливу ізовалентних та амфотерних домішок і модуляції параметрів технологічного процесу на гальваномагнітні параметри бінарних сполук GaAs, InP, InAs та їх твердих розчинів. Розроблено та реалізовано технологічні основи кристалізації епітаксійних шарів і структур GaAs(AlGaAs) на підкладках GaAs з кристалографічною орієнтацією (111 А) методом МОС-гідридної епітаксії за зниженого тиску. Показано, що модуляції газового потоку елемента третьої групи при осадженні шарів GaAs та AlGaAs за низьких температур 580 - 610 °С забезпечує формування високоякісної морфології поверхні без пірамідальних структурних дефектів. Розроблено технологічні аспекти кристалізації контактних багатошарових структур на основі GaAs, легованих ізовалентними та донорними домішками з використанням методу низькотемпературної рідиннофазної епітаксії за модуляції швидкості зниження температури. Встановлено, що градієнтний розподіл електронів у контактному шарі з концентрацією електронів до 1·10{\up\fs8 19} см{\up\fs8 -3} на поверхні формується завдяки зростанню коефіцієнта сегрегації телуру через різке кероване збільшення швидкості зниження температури охолодження. Досліджено вплив магнію, доданого в мікроконцентраціях (0,07 - 0,12 ат%) у вісмутові та індієві розплави. Встановлено ефект очистки шарів n-InAs, які одержані методом рідиннофазної епітаксії (РФЕ) з вісмутових та індієвих розплавів під впливом мікроконцентрацій акцепторної домішки Mg (0,07 - 0,12 ат%). Встановлено існування точки інверсії провідності з p- на n-тип поблизу значення температури 800 ± 10 °С в епітаксійному шарі InAs, кристалізованому в інтервалі температур 880 - 630 °С методом РФЕ з індієвого розчину-розплаву, легованого кремнієм (0,4 - 1,8 ат%) та алюмінієм (0,4 - 1,8 ат%). Розроблено технологію формування однорідного профілю розподілу концентрації електронів в активних некомпенсованих епітаксійних шарах InP методом РФЕ, що поєднує модуляцію швидкості зниження температури з впливом ітербію та алюмінію на неконтрольовані домішки в розплаві індію.

• Круковський Ростислав Семенович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"