Вивчено вплив флуктуацій складу матеріалу квантових ям у гетероструктурах In{\dn\fs9 x}Ga{\dn\fs9 1-x}As/GaAs, що зумовлюють хаотичний потенціальний рельєф, на кінетику релаксації міжзонної фотопровідності. Досліджено залежності енергії іонізації мілких акцепторних домішок і радіуса локалізації електронів на домішкових центрах у квантових ямах Si/Ge{\dn\fs9 x}Si{\dn\fs9 1-x}/Si від положення домішки в ямі. Розглянуто особливості фотопровідності p-Si/Ge{\dn\fs9 x}Si{\dn\fs9 1-x}/Si гетероструктур, дельта-легованих у квантові ями, за збудження випромінюванням СО{\dn\fs9 2}-лазера. Визначено польову залежність часу інкубації акустоелектричних доменів у n-In{\dn\fs9 x}Ga{\dn\fs9 1-x}As/GaAs гетероструктурах, які виникають за латерального електричного транспорту. Здійснено дослідження в n-In{\dn\fs9 x}Ga{\dn\fs9 1-x}As/GaAs гетероструктурах з різними типами квантових ям та легування розігріву електронів латеральним електричним полем. З'ясовано особливості електронного транспорту та інфрачервоного випромінювання гарячими носіями.

• Гуденко Юлія Миколаївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"