Розроблено методи та визначено технологічні режими для створення матричних нанокомпозитів на основі CO та активних діелектриків (Bi₁₂SiO₂₀, Bi₁₂GeO₂₀, TeO₂, Ba(NO₃)₂, LilO₃), органічного лазерного барвника R6G, бензоксазолу з внутрішньо молекулярним фотопереносом протону BBHQ. Доведено, що кристалізація речовини в порах опалової матриці дозволяє одержувати нанокристали активних діелектриків. Запропоновано оригінальну класифікацію структурних дефектів об'ємних і плівкових CO та введено кількісний параметр, який характеризує степінь дефектності структури зразків. Розроблено модель 1D періодичної діелектричної структури, яка враховує флуктуації періоду структури та діаметра глобул. У межах моделі розраховано спектри густини оптичних станів та бреггівського відбивання з урахуванням багатократного дифузного розсіювання світла. Виявлено підсилення інтенсивності оптичних явищ (флуоресценції, комбінаційного розсіювання світла, спонтанного розсіювання світла) в CO з дефектами та встановлено зв'язок з концентрацією дефектів структури.

• Євчик Антон Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"