Дисертаційна робота присвячена дослідженню з перших принципів електронної структури, природи хімічного зв'язку відомих поліморфних фаз монохалькогенідів олова та сполук Sn₂S₃, PbSnS₃, SnGeS₃ зі змішаною валентністю катіонів. Проведено теоретико-груповий аналіз електронного спектра низько- та високотемпературних ромбічних фаз монохалькогенідів олова, який дозволив встановити симетрію хвильових функцій, одержати структури зонних зображень валентних зон і зон провідності, визначити актуальні позиції Викофа, проаналізувати появу давидівського розщеплення та встановити правила відбору для оптичних переходів. У межах наближення суперкомірки проведено квантово-хімічне моделювання впливу власних точкових дефектів (вакансії в катіонній та аніонній підгратках) і домішок заміщення (М→Sn, М = Р, Sb, Ві) на електронну структуру ⍺-SnS. У легованих кристалах SnS:Sb виявлено явище самокомпенсації домішкових атомів сурми дворазово зарядженими вакансіями олова V_Sn²⁺, яке супроводжується різким зростанням питомого опору, появою фоточутливості та фотоерс. Встановлено кореляцію між умовами вирощування кристалів SnGeS₃ та їх електричними та фотоелектричними властивостями.

• Блецкан Мирослава Михайлівна (медичні науки)
• Блецкан Михайло Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"