Досліджено фізичні закономірності та механізми наноструктурування внутрішнього вільного простору в функціональних скло-керамічних середовищах електронної техніки, зумовлених їх напрямленою хіміко-технологічною модифікацією та впливом зовнішніх факторів. На прикладі модельних об'єктів - халькогенідних стекол потрійного розрізу Ge - Ga - Se/S, скло-керамічних халькогалогенідних сплавів (Ge - Ga - S) - CsCl, а також функціональної кераміки в оксидних системах (Cu, Ni, Co, Mn)₃O₄ та MgO - Al₂O₃ в об'ємному та мультишаровому товстоплівковому виконанні - показано, що процеси еволюції нанооб'єктів пустоти адекватно описуються в межах багатокомпонентних моделей на основі позитронної анігіляційної спектроскопії та алгоритму взаємозв'язаного заміщення позитронієвих пасток позитронними. Встановлено, що процеси контрольованої керамізації в стеклах Ge - Ga - Se супроводжуються нуклеацією та агломерацією внутрішніх пустот на початковому етапі з їх наступною фрагментацією та формуванням нанокристалітів Ge - Ga₄ - Se, Ga₂ - Se₃ та GeSe₂. Впроваджено досліджувані склуваті та скло-керамічні середовища для сенсорних елементів і керамічні об'ємні та мультишарові товстоплівкові структури різної конфігурації в складові інтелектуальних кібер-фізичних систем. Показано, що модифіковані халькогенідні стекла Ge - Ga - Se та халькогалогенідна скло-кераміка Ge - Ga - S - CsCl є перспективними для застосування в ІЧ фотоніці та як активні елементи волоконно-оптичних радіаційно-стійких сенсорів і телекомунікаційних систем.

• Клим Галина Іванівна (1981–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"