Викладено результати дослідження структурно-деформаційного стану GaN та градієнтних AlGaN плівок та нанодротів. Проаналізовано механізм зменшення густини гвинтових та крайових дислокацій в GaN плівках, який пояснюється реакціями анігіляції дислокацій при збільшенні товщини буферного шару AlN. Розроблено теоретичну модель для опису деформаційного стану нанодротів та в межах кінематичної теорії дифракції Х-променів розраховано симетричні (0002) 20/ω ХДП для нанодротів GaN. Дано пояснення впливу Si-N прошарку на азимутальну орієнтацію GaN нанодротів відносно Si підкладки, що полягає в наявності орієнтованих граней Si-N, які є рушійною силою для азимутальної орієнтації та анізотропії густини нанодротів на підкладці. На основі кінематичної теорії дифракції Х-променів представлено ефективний метод для розрахунку товщинних профілів деформації та компонентного складу для градієнтних Al_xGa_1-xN плівках та нанодротах.

• Станчу Григорій Вікторович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"