Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000725558<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Станчу Г. В. Високороздільна Х-променева дифрактометрія GaN i градієнтних AlGaN плівок та нанодротів : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Г. В. Станчу; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова. - Київ, 2016. - 17 c. - укp.Викладено результати дослідження структурно-деформаційного стану GaN та градієнтних AlGaN плівок та нанодротів. Проаналізовано механізм зменшення густини гвинтових та крайових дислокацій в GaN плівках, який пояснюється реакціями анігіляції дислокацій при збільшенні товщини буферного шару AlN. Розроблено теоретичну модель для опису деформаційного стану нанодротів та в межах кінематичної теорії дифракції Х-променів розраховано симетричні (0002) 20/ω ХДП для нанодротів GaN. Дано пояснення впливу Si-N прошарку на азимутальну орієнтацію GaN нанодротів відносно Si підкладки, що полягає в наявності орієнтованих граней Si-N, які є рушійною силою для азимутальної орієнтації та анізотропії густини нанодротів на підкладці. На основі кінематичної теорії дифракції Х-променів представлено ефективний метод для розрахунку товщинних профілів деформації та компонентного складу для градієнтних AlxGa1-xN плівках та нанодротах. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134,022 + В371.21,022 + В379.226,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА424352 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|