Встановлено ділянку існування трикритичної точки Ліфшиця на T - p - y - x-діаграмі іонних сегнетоелектриків. Виявлено особливості та загальні закономірності транспорту заряду, імпульсу й теплоти в халькогенідних сегнетоелектричних напівпровідникових системах зі структурними фазовими переходами та тетраборату літію. Розроблено алгоритм і створено математичне забезпечення для розрахунку густини фононних станів твердих тіл із температурної поведінки теплоємності. На основі ab initio розрахунків статичних і динамічних властивостей іонних провідників тетраборату літію й іонних сегнетоелектриків типу гексатіогіподифосфату олова розроблено мікроскопічну модель граткової нестійкості та механізму фототермоструктурних перетворень досліджуваних сполук.

• Різак Іван Михайлович (фізико-математичні науки)
• Різак Ірина Миколаївна (педагогічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"