Встановлено природу дислокаційної люмінесценції світловипромінювальних структур на основі р-Sі. Досліджено перебудову дефектної підсистеми приповерхневого шару цих структур за дії локальної та зовнішньої пружних деформацій, пластичної деформації, та високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню. Наведено механізми виготовлення й обробки кристалів кремнію в результаті яких досягається висока випромінювальна ефективність світловипромінювальних структур. Показано, що локальна деформація приповерхневого шару кремнію, яка утворюється в результаті невідповідності параметрів гратки матриці та напиленої плівки, здатна гетерувати дефекти та домішки винесені з об'єму кристалу до поверхні дислокаціями. Такі дефекти в сукупності з дислокаціями утворюють складні комплекси, які, в свою чергу, можуть впливати на рекомбінаційні процеси у приповерхневому шарі напівпровідника. Початкова стадія високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню, тривалістю до 1 год., приводить до зростання концентрації безвипромінювальних центрів рекомбінації. Збільшення часу відпалу супроводжується перерозподілом між без- та випромінювальними переходами на користь останніх. Також даний тип обробки впливає на термостабільність центрів, що відповідальні за D1 та D2 смуги електролюмінесценції в діапазоні температур 77 - 350 К. Встановлено склад та структуру дефектної підсистеми приповерхневого шару кристалів р-Sі, на основі яких виготовлялись світловипромінювальні структури. На базі даних досліджень побудована рекомбінаційна модель для структур на основі кремнію з високою концентрацією дислокацій. Продемонстровано підвищення випромінювальної ефективності методом пружної зовнішньої деформації. Проведено теоретичне та комп'ютерне моделювання процесів перебудови дефектної підсистеми в приповерхневому шарі кремнію та зміни зонної структури кремнію за високих концентрацій дислокацій та пружній деформації.

• Кушлик Маркіян Олегович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"