Методом хімічного осадження синтезовано тонкі напівпровідникові плівки цинк сульфіду та цинк селеніду з водних розчинів цинк-вмісної солі. Структурні, оптичні, морфологічні властивості, товщину плівок ZnS і ZnSe досліджено рентгенівською дифракцією, оптичною спектроскопією, скануючою електронною й атомно-силовою мікроскопією, профілометрією. Встановлено, що метод хімічного осадження дозволяє одержувати напівпровідникові тонкі суцільні плівки цинк сульфіду та цинк селеніду стехіометричного складу на підкладках великої площі за низьких температур. Використано метод інверсійної вольтамперометрії для визначення маси цинку у напівпровідникових тонких плівках ZnS і ZnSe та встановлено оптимальні умови їх синтезу. Кінетику швидкості реакцій синтезу ZnS і ZnSe досліджено методом молекулярно-абсорбційного аналізу та визначено ефективні енергії активації. Створено плівкові тверді розчини та композиційні структури на основі хімічно осаджених плівок цинк сульфіду та цинк селеніду. Досліджено фазовий склад, оптичні та морфологічні властивості одержаних плівкових твердих розчинів і структур та показано, що використання хімічного осадження дає змогу значно спростити та здешевити процес їх виготовлення, що може стати основою для масового виробництва фоточутливих елементів. Проведено квантово-хімічне моделювання процесу синтезу цинк сульфіду та цинк селеніду з різними комплексоутворюючими реагентами, яке дозволило встановити хімізм процесу осадження плівок.

• Созанський Мартин Андрійович (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"