Запропоновано вдосконалені технологічні процеси виготовлення високоякісних зразків ртутного гомологічного ряду, придатних для вимірювання основних фізичних властивостей. Уперше проведено заміни у катіонній підсистемі Нg-ВТНП і виявлено можливість поліпшення стабільності й оптимізації критичних параметрів. Уперше виконано систематичне теоретичне дослідження електронної структури перших чотирьох членів ртутного гомологічного ряду, зокрема просторового розподілу електронної густини, та виявлено немонотонний характер зміни типу хімічного зв'язку в кристалах, що може бути прямо пов'язано з механізмами формування надпровідних властивостей. Уперше досліджено вплив електронних кореляцій на електронну структуру Hg-ВТИП. На підставі одержаних параметрів електронної структури проведено обчислення транспортних властивостей досліджуваних матеріалів.

• Бойко Яна Володимирівна (педагогічні науки)
• Бойко Яна Вікторівна (філологічні науки)
• Бойко Ярослав Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"