РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000729091<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Хрипко С. Л. 
Модифікування структур системи кремній - пористий кремній - нанорозмірні плівки оксидів (SiO2, SnO2, ZnO) для пристроїв електронної техніки : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 / С. Л. Хрипко; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Львів, 2016. - 38 c. - укp.

Розроблено технологію формування шарів пористого кремнію шляхом модифікування поверхні електрохімічним травленням. Експериментально та теоретично досліджено причини та форми утворення нанокристалів кремнію під час їх росту та подальших термічних обробок. Розкрито вплив морфології пористого кремнію на особливості електронних і фононних збуджень у наноструктурах та їх оптичні властивості. Проведено модифікування структури нанорозмірної плівки оксиду SiO2 кремнієм 28Si+ методом імплантації. Встановлено закономірності та визначено механізми, які відповідальні за випромінювання нанокристалів кремнію на різних етапах їх структурної трансформації за різних технологічних параметрів. Запропоновано модель, яка описує залежність інтенсивності фотолюмінесценції від дози імплантації та температури відпалу на засаді уявлень про гомогенний розпад перенасиченого твердого розчину з урахуванням коалесценції нанокристалів і залежності ймовірності міжзонної випромінювальної рекомбінації у квантових точках кремнію від їх розміру. Розроблено технологію модифікування структури нанорозмірних плівок оксидів (SiO2, SnO2, ZnO) легуванням сурмою, алюмінієм та фтором методом спрей-піролізу. Одержано значення електрооптичних параметрів: поверхневого опору, питомого опору, рухливості носіїв заряду, концентрації носіїв заряду, оптичного пропускання. Визначено величину оптичної забороненої зони плівки. Створено напівпровідникові прилади, а саме, сонячні елементи, транзисторні та світловипромінювальні структури з метою дослідження їх характеристик для вивчення фізичних явищ і процесів у самих приладах та в структурах з використанням стандартного та нескладного нестандартного обладнання. Проведено комплексне дослідження впливу різних факторів на електрофізичні, структурні й оптичні властивості розроблених і виготовлених низькорозмірних структур. Показано можливість керування електрофізичними параметрами сонячних елементів та світловипромінювальних і транзисторних структур у разі модифікації структури методами анодування, імплантації та легування.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312-01

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА427786 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського