Висвітлено фотоелектронні та фотоелектричні процеси і явища у напівпровідниках, окреслено їх моделі, характеристики і параметри. Увагу приділено аналітичному опису процесів та експериментальним результатам, які підтверджують теоретичні дослідження. Розглянуто концентрацію електронів і дірок в зонах дозволених енергій, залежність положення рівня Фермі від концентрації атомів домішки та поперечний переріз захвата вільного носія заряда домішковим центром.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"