Досліджено локальні полярні, електромеханічні властивості та розмірні ефекти в наноструктурах на основі сегнетелектриків. Чисельне моделювання динаміки носіїв заряду та кінетики поляризації у тонких плівках сегнетоелектрика та іон-електронного провідника дало можливість встановити природу рушійних сил, що приводять до розшарування дефектів та виникнення механічної деформації. Встановлено, що в нано-гетероструктурах типу сегнетоелектрик - зазор - напівпровідник прояв багатьох розмірних ефектів нелінійним чином залежить від співвідношення між геометричними параметрами гетероструктури та доменної стінки сегнетоелектрика. Побудовано теоретичну модель росту доменів на Y-зрізі кристала ніобату літію під впливом неоднорідного електричного поля зонда скануючого атомно-силового мікроскопа. Показано існування та пояснено причини виникнення щонайменше трьох груп характеристичних особливостей вищезгаданих доменів: обернене перемикання поляризації із формуванням домену у протилежному напрямку; формування ізольованого домену безпосередньо під вістрям зонду та наявність області з підсиленим п'єзовідгуком. Побудовано самоузгоджену нелінійну теорію формування відгуку іонно-електронних напівпровідників на збудження сильно неоднорідним електричним полем зонда скануючого атомно-силового мікроскопу. Результати моделювання показали значний вплив нелінійних ефектів на механізм формування відгуку зразку у скануючій зондовій мікроскопії електрохімічних деформацій.

• Вареник Олександр Вікторович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"