Кривецький В. І. Оствальдівське дозрівання складних напівпровідникових нанокристалів, каталітичних наночастинок та вуглецевих нанотрубок : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / В. І. Кривецький; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. - Чернівці, 2017. - 20 c. - укp.Мета дослідження - встановлення механізмів росту та визначення розподілів за розмірами під час оствальдівського дозрівання (ОД): квантових точок (КТ) у гетероструктурі InAsSbP/InAs(100), каталітичних наночастинок (НЧ) платини, паладію й їх бінарних сплавів на різних підкладках, а також одношарових вуглецевих нанотрубок (ВНТ). З цією метою проводилось порівняння експериментальних гістограм досліджуваних нанооб'єктів з теоретично розрахованими розподілами. Наведено, що експериментальні гістограми цілком адекватно описуються або узагальненим розподілом ЛCB (GDLSW), або узагальненим розподілом Чакраверти - Вагнера (ChWGD). Установлено, що ріст зазначених нанооб'єктів під час оствальдівського дозрівання відбувається одночасно за двома механізмами - дифузійним і вагнерівським. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21,022 + В375.1,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА429466 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|