РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000742246<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Karachevtseva L. A. 
Coherent oscillations in IR spectra of 2D macroporous silicon structures with surface nanocoatings = Когерентні осциляції в ІЧ-спектрах 2D структур макропористого кремнію з поверхневими нанопокриттями / L. A. Karachevtseva // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2020. - 11, № 1. - С. 115-127. - Бібліогр.: 27 назв. - англ.

Одним із перспективних матеріалів для розробки двовимірних фотонних структур є макропористий кремній, отриманий за допомогою фотоанодного травлення. Наявність періодично розташованих циліндричних пор, розділених кремнієвими колоннами, забезпечує велику ефективну поверхню структур, покращує оптичні та фотофізичні характеристики макропористого кремнію. Досліджено осциляції ІЧ-поглинання двовимірними структурами макропористого кремню з мікропористими шарами кремнію, SiO2 нанопокриттями та CdTe, ZnO поверхневими нанокристалами з урахуванням електрооптичного ефекту Ваньє - Штарка. Аналіз експериментальних спектрів поглинання здійснено в межах моделі резонансного розсіювання електронів із нескінченною амплітудою на повехневих станах у сильному електричному полі, з різницею між двома резонансними енергіями, що дорівнює сходинці Ваньє - Штарка. Постійність періоду осциляцій вказує на реалізацію ефекту Ваньє - Штарка на довільно розподілених поверхневих станах на межі поділу "кремній - нанопокриття". Проведено порівняння ІЧ поглинання світла в 2D структурах макропористого кремнію з поверхневими нанопокриттями, проаналізовано зрушення і відхилення вершин коливань. Когерентність осциляцій ІЧ-спектрів підвищується в результаті зменшення концентрації поверхневих станів та оптимальної площі контакту нанокристалів до поверхні макропор. Таким чином, зсув осциляцій для наночастинок ZnO з оптимальним розміром нанокристалів (3,7 - 4,4 нм) призводить до відхилень коливань у межах 0,26 - 0,42 меВ, тобто узгодженість коливань досягає 0,25 - 0,4 %. Малий параметр уширення сходинок Ваньє - Штарка <$E GAMMA~=~0,3~symbol Ш~0,8> см<^>-1 дорівнює цьому параметру для поверхневих тонких плівок напівпровідників II - VI. Контрольованість і когерентність дослідженої системи визначається формуванням когерентних рівнів Ваньє у вузькій трикутній потенціальній ямі, сформованій в електричному полі на межі поділу "кремній - нанопокритя". В результаті запропоновано висококогерентний оптичний квантовий комп'ютер на основі реалізації квантового електро-оптичного ефекту Ваньє - Штарка на кремнієвій матриці з макропорами і шаром нанокристалів на поверхні макропор.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.2-15 + Г582

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського