Визначено та досліджено можливі основні причини розтріскування композиційних сцинтиляторів у разі опромінення, тобто вплив на зразок у зоні опромінення температури і атмосфери (зміненої завдяки радіохімічним реакціям). За повільномго темпу опромінення (100 - 200 Mrad і 0,2 Mrad/h) основним стає вплив агресивних компонент середовища у зоні опромінення, а саме, азотної кислоти і можливих продуктів її радіолізу. За швидкого темпу опромінення (250 - 550 Mrad і 1500 Mrad/h) основний вплив на розтріскування композиційних сцинтиляторів має дія на них високих температур у результаті поглинання композиційним сцинтилятором великої кількості енергії.

• Чергинець Віктор Леонідович (хімічні науки)
• Галунов Микола Захарович (1951–2021) (фізико-математичні науки)
• Караваєва Наталія Леонідівна (технічні науки)
• Креч Антон Владиславович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"