РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000745396<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Bolbas O. 
Degradation of CdTe SC during operation: modeling and experiment / O. Bolbas, N. Deyneko, S. Yeremenko, O. Kyryllova, O. Myrgorod, O. Soshinsky, N. Teliura, N. Tsapko, R. Shevchenko, Y. Yurchyk // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2019. - № 6/12. - С. 46-51. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.

Шляхом експериментальних досліджень вивчено механізми деградації сонячних елементів (СЕ) CdTe у процесі експлуатації. Визначено 2 механізми деградації таких СЕ. Перший обумовлений генерацією дефектів в області переходу, яка обумовлена надлишковими носіями заряду та дефектами. Другий - зростанням величини тильного бар'єру. Дослідження вольтамперних і вольтфарадних характеристик СЕ надали можливість запропонувати модель деградації СЕ на основі CdTe. Встановлено, що наявність міді у складі тильного контакту пов'язано з найкращою начальною ефективністю однак і найбільш швидкою деградацією в процесі експлуатації. Відповідно до запропонованої моделі пояснено виникнення додаткової кількості елементарних дефектів як результат дисоціації трьох видів комплексів точкових дефектів. Розглянуто шунтування n - p гетеропереходу та фазові перетворення зі сторони p<^>+-Cu2-xTe за рахунок електродифузії <$E roman {Cu sub Cd sup -}> із p-CdTe на межі n-CdS/p-CdTe та p-CdTe/p<^>+ - Cu2-xTe. З іншого боку, є можливою дифузія <$E roman Cu sub i sup +> (межвузлова мідь) в об'єм абсорбера. Можлива електодіфузія дефектів із гетеропереходів в об'єм абсорбера, що спричиняє компенсацію ефективних акцепторних центрів і призводить до зниження часу життя неосновних носіїв заряду і відповідно до зниження <$E J sub PHI>. Крім того, спостерігається проростання шунтувальних металевих ланцюжків по поздовжніх межзеренних кордонах p-CdTe між n - р і р - р<^>+ гетеропереходами та можливість виникнення високоомних фаз системи Cu - Te. Запропонована модель пояснює можливість виникнення фази <$E p sup +~-~roman {Cu sub {2- delta} S}> на межі CdS/CdTe, яка стримує проходження фотоактивної частини сонячного спектра в p-CdTe.


Індекс рубрикатора НБУВ: З251.8

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського