РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000746043<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Надточій В. О. 
Утворення дислокацій у приповерхневому шарі Ge під дією лазерного імпульсу / В. О. Надточій, О. Я. Бєлошапка // Фіз.-мат. освіта. - 2020. - № 1. - С. 91-96. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.

Головна проблема яка висувається в статі, це чи зароджуються дислокації, під дією лазерного опромінення. Поставлено задачу визначити умову імпульсного лазерного опромінення, при якій найбільш ефективно створюються напруження зсуву у приповерхневому шарі кристала, а також задачу розрахунку температурного поля у зоні опромінення. Використано монокристалічний германій з питомим опором 45 <$E roman {Ом~cdot~см}> і щільністю ростових дислокацій <$E 2,5~cdot~10 sup 3~roman см sup -2>. Торець злитка з площиною (111) піддавали шліфуванню, хіміко-динамічному і хімічному поліруванню. Дефектну структуру виявляли у хромовому травнику із суміші CrO3:HF = 1:1. Опромінення поверхні (111) Ge здійснювали на лазерній установці типу УИГ-1М з рубіновим оптичним квантовим генератором, працюючим у режимі вільної генерації на довжині хвилі <$E lambda~=~0,694> мкм. Густина енергії опромінення на поверхні германію змінювалась в межах 2 - 25 Дж/см<^>2, тривалість імпульсу була 1 мс. Опромінення відбувалося сфокусованим на поверхні лазерним променем, в окремих експериментах використовували розфокусований промінь. Діаметр D зони лазерного опромінювання становив 3 мм. Дислокаційну структуру вивчали оптичним методом За результатами обчислень були одержані залежності температури вздовж радіуса плями для різних моментів часу від початку дії лазерного опромінювання. Проаналізовано фізичний механізм виникнення дислокацій на ділянці з температурою ~450 К, де фотонагрівання не є головним фактором дефектоутворення. Структурними дослідженнями встановлено, що найбільш ефективно напруження зсуву у приповерхневому шарі зразка Ge створюються дією розфокусованого променя з енергією опромінення, достатньої для оплавлення кристала лише у центрі лазерної плями. Шляхом розв'язання диференціального рівняння теплопровідності одержані залежності густини оптичної потужності, яка поглинається поверхнею від часу опромінення, а також розподіл температури на поверхні уздовж радіуса лазерної плями. Висновки: зроблено висновок, що дислокації в лінійно-періодичних структурах виникають за рахунок гетерогенного зародження і розширення призматичних петель, орієнтованих в періодично-індукованому полі концентрації вакансій.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.313 + В379.227

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж101424 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського