Однією з проблем сучасної технології інтегральних електронних схем є створення високоякісних міжелементних з'єднань на кристалі. У разі використання полікремнію високочастотний відгук схеми виявляється незадовільним через високий електричний опір, навіть для високих рівнів легування. Ця проблема може бути розв'язана шляхом створення додаткового шару силіциду титану зверху полікремнію, що створює додатковий значно нижчий опір, підключений паралельно (формування поліцидної структури), а також зберігає зарядовий стан структури затворного стеку.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"