У сьомій із нової серії методично-оглядових статей, орієнтованих на дослідників, студентів, аспірантів та викладачів вищої школи, докладно розглянуто якісну картину явищ розсіяння електронів у каналі провідності нанотранзисторів. При цьому розгляді ключовим є поняття коефіцієнту проходження T(E), який записується через середню довжину вільного пробігу щодо розсіяння назад <$E lambda>(E) і довжину каналу провідності L. Узагальнена теорія електронного транспорту Ландауера - Датта - Лундстрома дозволила побудувати модель проходження MOSFET з урахуванням розсіяння електронів.

• Кругляк Юрій Олексійович (1937–) (фізико-математичні науки)
• Стріха Максим Віталійович (1961–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"