Купчак І. М. Власні дефекти в квантових точках CdZnS / І. М. Купчак, Д. В. Корбутяк, Н. Ф. Серпак // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2020. - 17, № 2. - С. 50-59. - Бібліогр.: 29 назв. - укp.Дефекти у квантових точках можуть впливати на їх оптичні характеристики, створюючи додаткові канали випромінювальної та безвипромінювальної рекомбінації. Методом функціоналу густини проведено розрахунки структурних та електронних характеристик вакансій металу (кадмій, цинк) та міжвузлової сірки, як найбільш імовірних типів дефектів у нанокристалах Cd1-xZnxS. Розраховано повну та парціальну густину електронних станів, проведено аналіз структурної релаксації. Виходячи з отриманих теоретичних результатів та наявних експериментальних даних зроблено висновок, що з усіх розглянутих типів дефектів лише вакансії кадмію можуть бути центрами випромінювальної рекомбінації у квантових точках Cd1-xZnxS. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|