Наведено результати експериментального дослідження спектральної залежності часу релаксації поверхневої монополярної фотопровідності (МПФП) в структурах макропористого кремнію (МПК). Дослідження проведено за сильного поверхневого поглинання світла, у цьому випадку коефіцієнт поглинання змінювався в діапазоні 2,37 x 10<^>3 - 3 x 10<^>5 см<^>-1, а глибина поглинання від 0,03 до 4,22 мкм. Для досліджень використано світлодіоди видимої області спектра (0,38 - 0,62 мкм) ультрафіолетовий, фіолетовий, синій, зелений, жовтий, жовтогарячий і червоний. Структури МПК формувалися на кремнії n-типу з орієнтацією [100] і питомим опором 4,5 Ом-см фотоелектрохімічним травленням. Макропори мали діаметр Dp = 3,5 мкм, глибину hp = 80 мкм і концентрацію Np = 3,5 x 10<^>6 см<^>-2. В структурах МПК експериментально спостерігалася "повільна" релаксація МПФП. Виявлено, що час релаксації МПФП залежав від довжини хвилі освітлення, і у видимої області спектра змінювався в діапазоні 15,5 - 42 с. Залежність часу релаксації фотопровідності від довжини хвилі освітлення мала мінімум часу релаксації 15,5 с за освітлення зеленим світлом із довжиною хвилі 0,5215 мкм. Причиною залежності часу релаксації МПФП є конкуренція процесів рекомбінації та прилипання на "повільних" поверхневих рівнях основних носіїв заряду. Домінування процесу рекомбінації або прилипання обумовлено характеристиками локальних центрів, умовами на поверхні, поверхневим вигином зон Ys, що і визначає поверхневу МПФП та її релаксацію. У довгохвильовій області спектра зменшення часу релаксації фотопровідності від 42 до 15,5 с пояснюється домінуванням процесу прилипання основних носіїв заряду на "повільних" поверхневих рівнях, які локалізовані в межах 1 нм від поверхні кремнію в перехідному шарі SiOx. У короткохвильовій області спектра повільне збільшення часу релаксації фотопровідності з 15,5 до 23,7 с пояснюється тим, що на час релаксації фотопровідності починає впливати прилипання основних носіїв заряду на "повільних" поверхневих станах, що локалізовані в SiO2 і мають великий час релаксації фотопровідності. Рівень прилипання поступово перетворюється на рівень сповільненої рекомбінації за великого коефіцієнта поглинання, що досягає значення 3 x 10<^>5 см<^>-1. Релаксація фотопровідності, пов'язана з поверхневими рівнями, обумовлюється довжиною хвилі освітлення, що викликає зміну коефіцієнта поглинання, глибини поглинання і поверхневого вигину зон Ys. Завдяки цьому спостерігалась спектральна залежність часу релаксації поверхневої фотопровідності в структурі МПК.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Карась Микола Іванович (фізико-математичні науки)
• Карачевцева Людмила Анатоліївна (1949–) (фізико-математичні науки)
• Онищенко Володимир Пилипович (1946–) (економічні науки)
• Онищенко Володимир Федорович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"