Домбругов М. Р. Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P, As, Sb) / М. Р. Домбругов // Мікросистеми, Електроніка та Акустика. - 2019. - 24, № 1. - С. 6-14. - Библиогр.: 22 назв. - рус.Исследовано явление инверсии градиента профиля алюминия в пленках Ga-Al-Nm (Nm = P, As, Sb), наблюдаемое при жидкофазной эпитаксии методом принудительного охлаждения. Эпитаксия моделируется в приближении Пфанна. Жидкая фаза рассматривается как разбавленный квазирегулярный раствор, а твердая фаза - как идеальный раствор. Показано существование инверсной кривой, связывающей температуру с определенным содержанием алюминия в твердой фазе. Если при охлаждении фигуративная точка ростового раствора пересекает инверсную кривую, происходит инверсия градиента профиля алюминия: эпитаксиальная пленка, прежде нараставшая с уменьшением содержания алюминия, в дальнейшем растет с его увеличением. Установлены соотношения между видом инверсной кривой и параметрами фазовой диаграммы. Показана принципиальная возможность выращивания в ходе единого технологического процесса планарных гетероструктур Ga-Al-P и Ga-Al-As (но не Ga-Al-Sb), пригодных для изготовления микроэлектронных волноводных устройств. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|