Досліджено діаграму стабільності заряду та залежність провідності від зсуву витоку і напруги на затворі одноелектронного транзистора (SET) на основі вуглецевих нанотрубок, використовуючи первопрінціпние обчислення. Всі розрахунки виконано з використанням пакета моделювання ATK-VNL, заснованого на теорії функціонала щільності (DFT). Застосували ці розрахунки для SET на основі вуглецевих нанотрубок. Нанотрубка була поміщена трохи вище діелектрика (<$E epsilon sub omicron~=~10>) між золотих електродів витоку і стоку. У SET використовувалася одностінна вуглецева нанотрубка, яка має надмалі діаметр і (4,0) конфігурацію. Розраховано додаткову енергію пристрою, яку можна визначити як різницю між спорідненістю до електрона та енергією іонізації. Встановлено, що розраховані значення енергій складають -10,17694 і -11,04034 еВ для ізольованої фази і SET-середовища відповідно. У електростатичному середовищі результати показали регуляризацію рівнів молекулярної енергії і, отже, додаткова енергія зменшувалася. Розрахунки для додаткових енергій, варіацій повних енергій до напруг затвора і діаграми стабільності заряду (CSD) також були виконані.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"