Chauhan S. An ab initio calculations of single-electron transistor based single walled carbon nanotube of ultra-small diameter = Початкові розрахунки одноелектронного транзистора на основі одностінної вуглецевої нанотрубки ультрамалого діаметру / S. Chauhan, A. S. Verma // East Europ. J. of Physics. - 2020. - № 2. - С. 136-139. - Бібліогр.: 23 назв. - англ.Досліджено діаграму стабільності заряду та залежність провідності від зсуву витоку і напруги на затворі одноелектронного транзистора (SET) на основі вуглецевих нанотрубок, використовуючи первопрінціпние обчислення. Всі розрахунки виконано з використанням пакета моделювання ATK-VNL, заснованого на теорії функціонала щільності (DFT). Застосували ці розрахунки для SET на основі вуглецевих нанотрубок. Нанотрубка була поміщена трохи вище діелектрика (<$E epsilon sub omicron~=~10>) між золотих електродів витоку і стоку. У SET використовувалася одностінна вуглецева нанотрубка, яка має надмалі діаметр і (4,0) конфігурацію. Розраховано додаткову енергію пристрою, яку можна визначити як різницю між спорідненістю до електрона та енергією іонізації. Встановлено, що розраховані значення енергій складають -10,17694 і -11,04034 еВ для ізольованої фази і SET-середовища відповідно. У електростатичному середовищі результати показали регуляризацію рівнів молекулярної енергії і, отже, додаткова енергія зменшувалася. Розрахунки для додаткових енергій, варіацій повних енергій до напруг затвора і діаграми стабільності заряду (CSD) також були виконані. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж43925 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|