Проведено дослідження структурних, механічних і електрофізичних властивостей Al - B-, Al - B - C- і Al - B - Si - C-покриттів, одержаних дуальним магнетронним розпиленням мішені з AlB2, SiC і графіту. Змінним параметром був струм IAlB, прикладений до AlB2-мішені. Одержані покриття досліджували за допомогою рентгенівської дифракції, інфрачервоної спектроскопії (FTIR), рентгенівської фотоелектронної спектроскопії (XPS) та шляхом аналізу результатів вимірів твердості за Кнупом і вольтамперних характеристик. Встановлено, що всі осаджені покриття є рентгеноаморфними. Дані FTIR і XPS показують, що у всіх покриттях присутні B - B-, Al - B-, B - O- і Al - O-зв'язки. За дуального розпилення мішень із AlB2 і C, AlB2 і SiC в одержаних покриттях додатково формуються B - C-, Si - C- і C - C-основні зв'язки. Встановлено, що зміцнення покриттів з ростом IAlB відбувається за рахунок збільшення B - B- і Al - B-зв'язків. Вольтамперні характеристики Al - B- і Al - B - C-покриттів свідчать, що покриття є невпорядкованими напівпровідниками, в яких реалізується стрибковий механізм провідності.

• Козак Андрій Олександрович (фізико-математичні науки)
• Іващенко Володимир Іванович (1956–) (фізико-математичні науки)
• Скринський Петро Лукич (технічні науки)
• Муратов Валерій Борисович (хімічні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Синельниченко Олексій Корнійович (фізико-математичні науки)
• Оліфан Олена Ігорівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"