Проаналізовано спектри електровідбивання, включаючи їх поляризаційні залежності, для n-Si (110) в енергетичному діапазоні 2,9 - 3,8 еВ. Ідентифіковано та відокремлено 2 внески, що випливають із поверхневої (ізотропна частина відноситься до лінійного електрооптичного ефекту, властивого для (110) поверхні) та об'ємної складових (анізотропна частина стосується ефекту Франца - Келдиша) на основі оптичної анізотропії електрооптичного ефекту. Наявність такої крайності пояснюється нульовим значенням функції електронної хвилі на поверхні та (або) структурним гетеруванням вільних носіїв.

• Генцарь Петро Олексійович (фізико-математичні науки)
• Вуйчик Микола В'ячеславович (фізико-математичні науки)
• Стронський Олександр Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"