Найважливішими характеристиками, що визначають придатність термоелектрично-анізотропних матеріалів до їхнього практичного використання, є анізотропія термоерс <$E DELTA alpha> і параметр термоефективності (ПТЕ) Za. Перша з цих характеристик визначає напругу, що генерується анізотропним термоелементом, а друга - його ккд. Досліджено особливості змін анізотропії термоерс і ПТЕ пружно деформованих кристалів германію і кремнію за 85 K залежно від рівня їх легування. Виявлено, що в разі низького рівня легування анізотропія термоерс деформованих кристалів n-Si перевищує <$E DELTA alpha> кристалів n-Ge більше, ніж у 4 рази. Показано, що зі зростанням рівня легування спостерігається стрімкий спад <$E DELTA alpha> для n-Si. Одержано якісну подібність змін ПТЕ для пружно деформованих германію та кремнію з підвищенням концентрації носіїв заряду, хоча у випадку n-Ge максимум Za є значно більшим і досягається за вищого рівня легування, ніж у випадку n-Si. Одержані результати можуть бути корисними при розрахунках різних ефектів на базі теорії анізотропного розсіювання в широкому інтервалі концентрацій.

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"