Bacherikov Yu. Yu. Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide / Yu. Yu. Bacherikov, V. Yu. Goroneskul, O. Yo. Gudymenko, V. P. Kladko, O. F. Kolomys, I. M. Krishchenko, O. B. Okhrimenko, V. V. Strelchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2020. - 23, № 2. - С. 175-179. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.The methods of optical absorption spectroscopy and high-resolution diffractometry have been used to study the influence of microwaves on characteristics of crystalline SiC. Being based on the X-ray analysis data, optical transmission, photoluminescence, and photoluminescence excitation spectra, it has been shown that the microwave treatment leads to a change in the gradient of internal mechanical stresses and an increase in the migration capability of dislocations and, as a result, to redistribution of recombination centers in the sample. Індекс рубрикатора НБУВ: В374
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|