Розглянуто порівняльні характеристики тонких оксидних плівок (OP) титану, ербію та диспрозію, сформованих на підкладках карбіду кремнію у разі наявності та відсутності пористого шару por-SiC. Показано, що незалежно від наявності буферного пористого шару в структурах TiO2(Er2O3, Dy2O3)/por-SiC/SiC та TiO2(Er2O3, Dy2O3)/SiC формуються оксидні шари приблизно однакової товщини, а якість межі поділу в структурах OF/SiC вища, ніж у структурах OF/por-SiC/SiC. Збільшення часу і температури швидкого термічного відпалу надає змогу поліпшити якість межі поділу оксидна плівка/підкладка незалежно від наявності в структурі пористого буферного шару. При цьому найбільш вузька межа поділу оксидна плівка/буферний пористий шар/підкладка спостерігається у структурах TiO2/por-SiC/SiC. Найбільш чутливими до зміни параметрів швидкого термічного відпалу є структури TiO2/por-SiC/SiC, а найбільш стійкими - структури Er2O3/por-SiC/SiC.

• Бачеріков Юрій Юрійович (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"