Для НГ квантових точок GaAs/Al_xGa_1-xAs, InAs/Ga_xIn_1-xAs установлено залежності коефіцієнта міжпідзонного та міжзонного поглинання світла від його частоти, розмірів КТ та відстаней між ними. Показано, що для КТ розмірами 30 - 100 Å у 3D-НГ основні піки міжзонного (міжпідзонного) поглинання знаходяться в області 1.13 - 1.7 мкм (2.96 - 4.45 мкм) для GaAs/Al_xGa_1-xAs і 1.77 - 2.76 мкм (4.77 - 6.56 мкм) - для InAs/Ga_xIn_1-xAs; енергія піків зменшується за збільшення розмірів КТ. Установлено, що вимірність надграток впливає на форму смуг поглинання: найбільше різняться форми смуг 3D- та 1D-НГ. При лінійній поляризації хвилі, яка падає перпендикулярно до 1D-ланцюжків, ширина смуги поглинання різко зростає порівняно з паралельно орієнтованим світлом, а для циркулярно поляризованої хвилі виявлено появу квазірезонансної смуги всередині області поглинання. Показано, що коефіцієнт міжпідзонного поглинання світла, яке падає паралельно до ланцюжка КТ, не залежить від способу його поляризації (лінійно чи циркулярно). Установлено, що при Т<200 К залежно від співвідношення між енергією залягання домішкових рівнів та енергіями країв основної підзони електронів надгратка характеризується двома типами температурних залежностей провідності. Одержано залежність провідності при високих температурах, коли вона стає біполярною за участі і електронів, і дірок.

• Пазюк Роман Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"