Досліджено вплив ізовалентного заміщення атомів на теплові властивості й еволюцію критичних аномалій оберненої температуропровідності в околі структурних фазових переходів для сегнетоелектричних моноклінних кристалів Sn(Pb)₂P₂S(Se)₆. Додатково проведено часткову апробацію методики фотопіроелектричної калориметрії у конфігурації "перед" для дослідження теплової ефузії кристалічних зразків. Зазначено, що за допомогою аналізу експериментальних кривих теплопровідності та температуропровідності, одержаних для досліджуваних матеріалів, вдалося прослідкувати певну кореляцію між макропараметрами системи та змінами, які відбуваються на її мікрорівнях (зміна властивостей електронних підсистем за рахунок введення різного типу домішок). Детально проаналізовано вплив катіонного заміщення атомів на критичну поведінку різних за природою структурних фазових переходів: сегнетоелектрик-параелектрик у твердих розчинах (Pb_ySn_1-y)₂Р₂S₆ та сегнетоелектрик-неспівмірна фаза у кристалах (Pb_ySn_1-y)₂P₂Se₆. За допомогою фотопіроелектричної калориметрії у конфігурації "назад" досліджено вклад заряджених точкових дефектів у аномалію оберненої температуропровідності кристалу Sn₂P₂S₆ при легуванні його атомами Ge, Sb та Te. Зазначено, що спостерігався значний приріст вкладу дефектів типу "випадкове поле" при введенні германію у кристалічну структуру сполуки Sn₂P₂S₆. Досліджено вплив атомів германію та свинцю на критичну поведінку біля точки Ліфшиця у кристалі Sn₂P₂(S_0,72Se_0,28)₆. Вперше виявлено унікальну трикритичну точку Ліфшиця на діаграмі станів температура-концентрація для твердих розчинів (Sn_1-yPb_y)₂P₂(S_1-xSe_x)₆ з координатами Т_тктл ≈ 259.1 К, х_тктл ≈ 0.28, y_тктл ≈ 0.05.

• Шваля Василь Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"