Роботу присвячено вивченню з використанням експериментальних і розрахункових методів особливостей транспорту заряду в тонкоплівкових надпровідних гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe з гібридним бар’єром із напівпровідника з нанокластерами металу. В рамках роботи вперше виготовлено тонко плівкові гетероструктури MoRe–Si(W)–MoRe з гібридним бар’єром у вигляді напівпровідника з нанокластерами металу та досліджено їх транспортні властивості. Уперше встановлено, що на вольт-амперних характеристиках (ВАХ) цих гетероструктур (при nw < 4 aт.%) виникає резонансний пік струму, який обумовлений суміщенням по енергії краю надпровідної щілини одного з надпровідних електродів гетероструктури із дозволеним енергетичним рівнем в кластері металу всередині бар’єру. Встановлено, що створені гетероструктури MoRe–Si(W)–MoRe (у випадку відносно високого вмісту вольфраму в бар’єрах Si(W) — при nW ~ 7–10 aт.%) демонструють наявність надпровідного струму та великого надлишкового струму через них, причиною виникнення яких є андріївські відбивання квазічастинок на інтерфейсах та резонансно-перколяційний транспорт зарядів через них. При цьому гетероструктури мають підвищені значення характеристичної напруги — добутку. На ВАХ гетероструктур спостерігаються великі надлишкові струми, що в рамках моделі Білоголовського–Шатерніка–Шаповалова–Суворова–Дорінга–Шмідта–Зайделя свідчить про те, що прозорість резонансно-перколяційних ланцюжків, по яким відбувається транспорт заряду, є близькою до одиниці. Встановлено, що на ВАХ гетероструктур, що перебувають під дією зовнішнього НВЧ опромінення, можуть з’являтися характерні похилі сходинки, форма та положення яких по вісі напруг зміщення залежать від потужності прикладеного НВЧ опромінення, що свідчить про те, що в гетероструктурах у разі перевищення деякого критичного значення надпровідного струму можуть утворюватися центри або лінії проковзування фази.

• Суворов Олександр Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"