Мета роботи - дослідження методом комп'ютерного моделювання механізмів впливу радіаційних дефектів, що виникають під дією нейтронного опромінення, на зміну електрофізичних властивостей - питомого опору <$E rho>, електронної рухливості <$E mu sub n>, часу життя нерівноважних електронів <$E tau sub n> і дірок <$E tau sub p>, в Cd0,9Zn0,1Te і ефективності збору зарядів неохолоджуваного детектора іонізуючих випромінювань <$E eta> на основі цього матеріалу. Радіаційні дефекти, яким у забороненій зоні відповідають глибокі рівні енергії, діють як центри захоплення нерівноважних носіїв заряду, помітно впливають на ступінь компенсації, змінюючи <$E rho> детекторного матеріалу, на процеси рекомбінації, знижуючи <$E tau sub n> і <$E tau sub p>, а також на розсіювання електронів провідності, зменшуючи <$E mu sub n>, що зрештою здатне викликати деградацію ефективності збору зарядів <$E eta>. З'ясовано конкретні причини погіршення електрофізичних і детекторних властивостей під дією нейтронного опромінення та встановлено основні фактори, які впливають на підвищення питомого опору Cd0,9Zn0,1Te при бомбардуванні тепловими та високоенергетичними нейтронами, що призводять до повної деградації реєструвальної здатності детекторів на основі цього матеріалу. Рекомбінація нерівноважних носіїв заряду є помітно сильнішою ніж зниження <$E mu sub n> впливає на деградацію детекторних властивостей, тому досліджено вплив процесів рекомбінації через глибокі рівні радіаційних дефектів на деградацію <$E mu sub n>, <$E mu sub p>, <$E eta> детектора на основі Cd0,9Zn0,1Te. Проведено порівняльний аналіз властивостей Cd0,9Zn0,1Te і раніш дослідженого CdTe:Cl. Пояснено більш високу радіаційну стійкість Cd0,9Zn0,1Te у порівнянні з CdTe:Cl при нейтронному опроміненні впливом механізму радіаційної самокомпенсації за участю більш глибоких донорних рівнів енергії: міжвузлового телуру, телуру на місці кадмію. Крім того, внаслідок меншої різниці між рівнем Фермі та рівнями радіаційних дефектів у телуриді кадмію темп рекомбінації через рівні дефектів в Cd0,9Zn0,1Te за інших рівних умов є нижчим, ніж у CdTe:Cl. Відзначено зв'язок між шириною забороненої зони Cd0,9Zn0,1Te і CdZn:Cl, концентрацією радіаційних дефектів, дрейфом рівня Фермі в процесі опромінення та радіаційною стійкістю детекторів. Вказано на важливу роль чистоти та концентрації легуючого мілкого донора в початковому стані детекторного матеріалу.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"