У роботі показано, що воднева обробка здатна руйнувати та відколювати поверхню монокристалічного кремнію. Водневу обробку проводили після опромінення протонами поверхні кремнію. Всі дії з монокристалом кремнію виконували за кімнатної температури. Поверхню кристалу опромінили пучком протонів. Енергія протонів у пучку становила 1,5 МеВ. Розкид енергій не перевищував 150 еВ. Інтегральна доза опромінення протонами склала <$E2~cdot~10 sup 14> протон/см<^>2. Такої дози опромінення вистачило для утворення на глибині 30 мкм під поверхнею тонкого шару з високою густиною радіаційних дефектів. Наявність такого шару після хімічного проявлення підтверджено спостереженнями на електронному мікроскопі. Після опромінення через опромінену поверхню проведено електролітичне насичення зразка кремнію гідрогеном. Під час електролізу опромінена поверхня зразка слугувала катодом, а графітовий електрод анодом. Для електролізу використовували розчин 10 % H2SO4 та 2 % KF у воді. Густина електролітичного струму була 57,15 мА/см<^>2. Після 10 хв. електролітичного насичення зразка гідрогеном відбулося сколення зразка. Відкололася частина опроміненого зразка вздовж шару з високою густиною радіаційних дефектів.

• Дорошенко Тетяна Федорівна (технічні науки)
• Дорошенко Тамара Павлівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"