Розроблено метод опорних параметрів для виявлення та ідентифікації закладних пристроїв на базі тунельних діодів, який відрізняється тим, що введена в нормований простір апроксимуюча площина амплітуд наведеного сигналу в функції ширини області від’ємного диференціального опору. Створена універсальна модель вольт-амперної характеристик, що описується параметром – ступенем близькості до рівноважного стану напівпровідникового приладу, яка описує сімейство деформованих кривих напівпровідникової структури в складі розсіювача під впливом потужного зондуючого сигналу. Завдяки запропонованій моделі ефективно виявляється ефект інверсії демаскуючої ознаки і оцінюється надійність функціонування нелінійного локатора. Проведено оцінку впливу асиметрії вольт-амперної характеристики структур «метал - окисел - метал» на ефективність використання нелінійних локаторів. Розроблено універсальний імітатор закладного пристрою з нелінійним навантаженням і можливістю варіювання напруги робочої точки. Режими універсального імітатора дозволяють відтворити розсіюючи властивості закладних пристроїв, що робить імітатор об'єктивним при сертифікації нелінійних локаторів.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"